三星电子于2026年9月1日通过DS部门发布下一代存储器战略，由存储器事业部产品企划团队负责人崔长锡公布。公司明确以3D结构创新为核心，争夺下一代存储器主导权，战略在当日经新浪财经与36氪以发布会披露为依据首发报道，状态为已宣布，属当日新实质进展。

战略调整细节

据新浪财经2026年9月1日11:03及36氪快讯同日19:55转引，崔长锡当日公布的战略涵盖HBM5、zHBM及zNAND-O三大方向。三星电子目前正在开发HBM5，后续将推出zHBM作为HBM5之后的产品代际，同时在企业级存储领域推进zNAND-O，整体以满足大语言模型（LLM）等AI场景对大容量、高带宽与低能耗的需求。

  • HBM5：较HBM4E性能提升2倍、每瓦性能提升20%、热阻降低20%； zHBM：较HBM4E性能提升8倍、每瓦性能提升3倍、热阻降低75%至90%； zNAND-O：比特密度目标为DRAM的10倍、读取带宽与能效为NAND的7倍，计划2028年开始样品供应； CUBE战略：分别代表Capacity（容量）、Utilization（利用率/优化）、Bandwidth（带宽）、Efficiency（功耗与热效率），核心是通过3D结构同时提升容量、带宽及功耗热效率，而非单纯垂直堆叠。

官方说法

3D技术的最终目标，是降低移动单个比特数据所需的能量。 — 三星电子DS部门存储器事业部产品企划团队负责人 崔长锡，2026年9月1日公布战略时表述

崔长锡同时表示，三星正通过提高结构效率，最大限度提升每瓦性能，并计划从通用DRAM、NAND到HBM、企业级SSD，再到下一代zHBM和zNAND-O，扩大产品阵容，强化在AI存储器市场的主导地位。官方未在当日披露具体投资金额与量产客户名单。

独立背景

HBM（高带宽存储器）为当前AI加速器与大模型训练推理的关键配套，三星与SK海力士、美光同为主要供应商。随着AI芯片对带宽与能效要求提升，HBM及企业级SSD成为云与端侧算力竞争焦点。9月1日同日36氪快讯列表中亦可看到韩国政府拟首次直接采用民营数据中心GPU服务等AI算力配套政策动向，显示存储器与算力基础设施的联动正在加速。

限制与尚未确认事项

  • HBM5与zHBM仍为开发目标，未公布具体量产与供货时间表，仅zNAND-O明确2028年样品供应； 性能、功耗与热阻数据为目标值，实际达成取决于工艺与结构验证，尚未有独立第三方测试； 战略对应投资规模、产能规划及下游AI芯片客户合作细节未在当日来源中披露； 未检索到三星官方新闻稿或监管申报文件对同一战略的完整披露文本，信息以负责人发布与当日专业媒体报道为准。